; 在新能源飞速发展和产品智能化的大背景下,高科技进入蓬勃发展阶段,所有高科技产品最不可或缺的核心部件就是芯片了。作为以智能手机为主要业务的
华为
,对芯片的需求量更是巨大。
大家都知道生产芯片最重要的器械就是
光刻机
,但由于受到来自
漂亮国
的制约,“实体清单”规则被修改后,
ASML
因为生产光刻机的技术有一部分来自于漂亮国,受此影响,连带着芯片代工厂也无法为华为公司提供芯片代工服务。
华为现在*进的芯片是采用台积电5nm工艺制作的
麒麟9000芯片
,但随着“限制令”的制约,
麒麟9000
芯片的库存正在一天一天减少,在无法获得5G芯片的情况下,华为只能采用
高通
的4G芯片,没有
5G
芯片的支持,华为的5G手机只能当成4G来用,也因此,华为的手机业务受到了重创。
事实上,不仅是华为,我国其他高科技企业现在都处于“缺芯”状态。如果要解决“缺芯”难题,首先我们就要解决光刻机的自产自研问题。
中科院
立功了
为了实现我国高端光刻机的国产化,中科院长光所、上光所联合光电研究院在2009年,启动了“高NA浸没光学系统关键技术研究”,进行高端光刻机的攻坚。该项目于2017年在长春国科精密验收,曝光光学系统研发核心的骨干人员也在同年间转入长春国科精密继续钻研光刻机技术难题。
在此之后,国望光学引入
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
,以及
上海光学精密机械研究所
推动国产光刻机核心部件生产。在2016年,国望光学研发出90nm节点的ArF投影光刻机曝光光学系统,之后将继续向28nm节点ArF浸没式光刻曝光学系统研发进攻。
长春国科经济在2018年也传来好消息,攻克了高NA浸没光学系统的关键技术研究。这也是我国实现完全拥有自主知识产权的高端光刻机曝光光学系统的标志。这些成就的达成都离不开中科院的技术支持,可以说中科院立了大功了。
为什么要花费那么大的精力去研发曝光光学系统呢?这对光刻机的制造很重要吗?这我们就要从光刻机的工作原理说起了。光刻机又叫掩模对准曝光机,它的工作原理简单地说类似于照片冲印的技术。
光刻的过程就是在制作好的硅圆晶表面涂上一层光刻胶,然后通过紫外线或深紫外线透过
掩膜
版,把上面的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上,在
光刻胶
的覆盖下,这些被光线照射到的部分会被腐蚀掉,而没有被照射到的部分就会被保留下来,形成我们所需要的电路结构。所以曝光系统可以说是光刻机的核心组成之一。
国产光刻机正式传来好消息
根据国望光学在发出的公示,
投影光刻机曝光光学系统将应用于28nm芯片的批量生产当中。
在这之前,我国只能制造出用于90nm制程的光刻机,但随着这两项技术的突破,我国对于28nm光刻机制程实现了突破性的进展。
28nm芯片有着比90nm芯片更加优越的性能,用途也更加广泛,尤其是对于新能源产业,如新能源汽车或者智能家居产业填补了对于28nm芯片缺失的空缺。
此外,根据媒体消息,上海微电子也做出披露,在2021到2022年将会交付出第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。这表明我国完全能实现28nm芯片自由。拥有完整的知识产权和自主产业链,就无畏海外市场在芯片上对我们“卡脖子”了。
虽然28nm芯片已经能满足大部分的生产需求,但是对于华为这些手机厂商和其他一些国产芯片来说,28nm的精度还是不够用的,接下来我国的下一步目标便是进行5nm制程光刻机的攻克,手机对于芯片的精度要求要更高,所以目前我国还是不能停下研发的脚步。
虽然目前我国还没研发出5nm制程的光刻机,但已经可以制造出5nm制程的刻蚀机了,这对于我国芯片发展也是一个鼓励性的好消息。
成果是喜人的,但如果拿来与世界上*进的7nm制程光刻机比的话还是远远不够的,国产化光刻机的道路还要走很远。
国产光刻机中端水平。
中国光刻机产品研究已经达到了“中端水平”。国产DUV光刻机产品很快就能成批推出、规模采用,据报道上海微电子研发出的28纳米国产光刻机整机已经安排生产,再过一两年一定能用于国产芯片的生产。
我国光刻机现状:
我国光刻机*技术仍旧是上海微电子研究所的90nm工艺,它的SMEE200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机只能够达到90nm工艺水平。而像江苏无锡影幻半导体公司、合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺的光刻机量产能力。
此前,M国先是不允许高通等美企业与华为合作,紧接着又对使用M国芯片技术的企业加以限制,禁止任何使用本国技术的企业自有出货,受此政策影响,联发科、台积电等众多企业纷纷与华为分道扬镳。
要知道近些年随着我国 科技 的不断发展,手机等智能产品生产制造日益高涨,对芯片的使用与日俱增,M国这一做法,意在致众多企业于死地,迫于无奈,国内也开始了对芯片技术的重视,同时国家层面也开始出台了政策给与一定的支持!比如印发指导性文件、成立集成电路学院、提供税收优惠政策等。
不过,芯片的制造有一定的技术要求,也要具备一定的高端设备,比如光刻机。在M国限制风波过后,国产企业就纷纷投入光刻机的研发,好消息一个接一个。
据媒体报道,2021年上海微电子将会下线一批新的光刻机,据了解,其曝光精度已经从90nm大幅缩减到28nm,完全可以满足28nm制程的芯片生产。此外再加以多次曝光之后,该款光刻机还将应用于7nm制程的芯片生产。此外张召忠还曾表示过国内目前可能已经有了全新一代的光刻机。
这样的发展势头不容小视,似乎一切都应了张召忠的那句话,三年之后中国就不用外国进口芯片了,中国的芯片将满大街都是。
除了上海微电子之外,华为、清华大学、中科院方面也都有关于光刻机的消息传出。
据有关人士透露,华为已经开始广纳半导体技术人才,与国内该领域先进企业合作,加速对光刻机技术的研究,拟建立一条纯国产技术的生产线。
国内知名高校清华大学也有所进展,清华大学研究团队的研究论文表明,清华已经在光源研究方面有了巨大的突破。论文中还着重介绍了“稳态微聚束”原理的实验,该项技术是对新型粒子加速光源的首个实验,而光源技术则是光刻机生产的主要技术之一。
其次中科院也对光刻机的生产有所研究,据悉下一步中科院将会与国内供应链企业展开全面合作,力争早日实现技术新突破。
随着国产光刻技术的不断发展、突破技术瓶颈,生产先进的光刻机已经不再是镜花水月,这一天可能很快就到来了。
国产光刻接的好消息不断,尤其是随着纯国产的芯片生产线的建立,那么将来的ASML将彻底面临失去中国市场的危机。
迫于如此尴尬处境,ASML开始三番五次地表态,表示要向中国出售光刻机了。
比如就在M国2020修改芯片规则之后,ASML就曾表示,要稳住中国的芯片市场,倾其所有向中企给予技术支持。而且也急切地说明,向国内市场出售DUV光刻机可以不经过许可。
没过多久,ASML再次表示,如果自由贸易始终被限制,那么15年之后包含自己在内的其他芯片企业将彻底退出中国市场,或将面临被淘汰的风险。
从ASML接二连三的陈词不难看出,面对限制政策的影响,ASML已经坐不住了,这一切已经影响到了自己的企业生存问题。
种种迹象都表明,面对国产光刻机的消息传出,ASML已经如坐针毡,开始积极向国内市场靠拢了,要不然就真的与中国的巨大市场失之交臂了,毕竟企业是要生存,要吃饭的!
对于ASML,你们怎么看,有什么想说的吗?
中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前,我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。
这次我国直接从90nm突破到了22nm也就意味着我国在光刻机制造的一些关键核心领域上已经实现了国产化。而自己掌握核心技术有多重要自然不言而喻,在突破关键领域以后,更高阶的光刻机的研发速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研制22nm光刻机,中国芯正在逐渐崛起。
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,分辨率通常七纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造。
中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前,我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm,意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后,高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展,手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机,从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视,无一不离开集成电路的发展,也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来,体积越来越小,性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展,芯片越来越小,集成电路越来越多,可以把终端做得小而精致。2002年,光刻机被列入国家863重大科技攻关计划,由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“SMEE”)。2008年,国家启动了“02”重大科技项目,持续攻关。经过十余年的研发,我国基本掌握了高端光刻机的集成技术,部分掌握了核心部件的制造技术,成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。