光刻机涉及的领域（光刻机包含的技术领域）
光刻机涉及的领域（光刻机包含的技术领域）
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。
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2019年与2020年在半导体领域，尤其是企业之间，光刻机是被炒得最热的一个话题，再怎么说芯片，最终都会说到光刻机上面去。
可能出口给我们DUV光刻机生产7nm的芯片，却将*进的EUV光刻机出口给别的企业生产5nm芯片，即使不专门生产芯片的谷歌、高通，ASML也卖他们EUV光刻机。
参考资料：百度百科-光刻机
一、用途
光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机。
用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上*的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口，本次厦门企业从荷兰进口的光刻机就是用于芯片生产的设备。
二、工作原理
在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。
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光刻机的结构：
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。
2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。
3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
6、遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。
7、能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。
8、掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
9、掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
10、物镜：物镜用来补偿光学误差，并将线路图等比例缩小。
11、硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、 notch。
12、内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
参考资料来源：百度百科-光刻机
研发光刻机研发涉及多个专业，光学、机械加工、电子电路、化学等。
光刻机涉及到的知识有：光学、机械加工、电子电路、化学等多个学科知识。光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。
光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
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光刻机的发展光刻机：
光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，制造和维护均需要高度的光学和电子工业基础。
光刻机工作原理跟照相机类似，不过它的底片是涂满光刻胶的硅片，各种电路图案经激光缩微投影曝光到光刻胶上，光刻胶的曝光部分与硅片进行反应，将其*刻在硅片上，这就是芯片生产最重要的步骤。
